$PN-$ जंक्शन डायोड के दिए गए परिपथ के लिए,निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

  • A
    अग्र अभिनति (forward biasing) में,$R$ के सिरों पर वोल्टेज $V$ है।
  • B
    अग्र अभिनति (forward biasing) में,$R$ के सिरों पर वोल्टेज $2V$ है।
  • C
    पश्च अभिनति (reverse biasing) में,$R$ के सिरों पर वोल्टेज $V$ है।
  • D
    पश्च अभिनति (reverse biasing) में,$R$ के सिरों पर वोल्टेज $2V$ है।

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$p-n$ जंक्शन डायोड में अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई:

$p-n$ जंक्शन के लिए,विद्युत क्षेत्र की तीव्रता $1 \times 10^{6} \text{ V/m}$ है और अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $5000 \text{ Å}$ है। विभव प्राचीर (potential barrier) का मान $\dots \text{ V}$ है।

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