चित्र में एक डायोड के $V-I$ अभिलक्षण दर्शाए गए हैं। अग्र अभिनत (forward bias) और पश्च अभिनत (reverse bias) प्रतिरोध का अनुपात क्या है?

$p-n$ जंक्शन को जोड़ने की विधियाँ बताइए।

$pn$ जंक्शन के लिए,स्पेस चार्ज क्षेत्र (space charge region) की चौड़ाई लगभग $\qquad$ $\mu m$ होती है।

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में,अवक्षय परत (depletion layer) की मोटाई $2 \times 10^{-6} \,m$ है और विभव प्राचीर (barrier potential) $0.3 \,V$ है। जंक्शन पर विद्युत क्षेत्र की तीव्रता है

यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड में,चित्रानुसार $10\, V$ ($+5\, V$ से $-5\, V$ तक बदलने वाला) का एक वर्गाकार इनपुट सिग्नल लगाया जाता है,तो $R_L$ के सिरों पर आउटपुट सिग्नल क्या होगा?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड को $8 \, V$ के वोल्टेज के साथ रिवर्स बायस किया जाता है। यदि डायोड का प्रतिरोध $4 \times 10^7 \, \Omega$ है, तो रिवर्स सैचुरेशन करंट क्या होगा ($ \, \mu A$ में)?