$400 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણો $2.2 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદનશીલ સપાટી પર આપાત થાય છે। તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ આશરે કેટલું હશે ($\,V$ માં)?

એક પદાર્થનું કાર્ય વિધેય (work function) $4.0 \,eV$ છે. આ પદાર્થમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જન કરી શકે તેવી પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ આશરે ......... $nm$ છે.

$5\, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં કેથોડ $C$ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઊર્જા $2\, eV$ છે. જ્યારે $6\, eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન $C$ પર આપાત થાય,ત્યારે જો $C$ ની સાપેક્ષમાં $A$ નું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............ $V$ હોય,તો કોઈ પણ ફોટોઈલેક્ટ્રોન એનોડ $A$ સુધી પહોંચશે નહીં.

સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.14 \ eV$ છે. જો ફોટોકરન્ટને $0.60 \ V$ ના સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ દ્વારા શૂન્ય કરવામાં આવે, તો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધો.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,મહત્તમ ગતિઊર્જા $(KE_{\max})$ વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ દોરવામાં આવે છે. જો $A$ અને $B$ અનુક્રમે $X$ અને $Y$ અક્ષ પરના અંતઃખંડો હોય,તો પ્લાન્કનો અચળાંક શેના દ્વારા આપવામાં આવે છે?

જ્યારે $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુ પર $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત સૌથી વધુ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. તો $\nu =$ (જ્યાં $h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $m$ એ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ છે).