$9 \, eV$ અને $4.5 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી બે ધાતુની સપાટીઓ $A$ અને $B$ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇઓ વચ્ચેનો તફાવત $nm$ માં કેટલો છે? (આપેલ છે,$hc = 1242 \, eV \, nm$)

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,ધાતુ પર આપાત થતા પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $300\, nm$ થી બદલીને $400\, nm$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ઘટાડો આશરે ................ $V$ છે $\left( \frac{hc}{e} = 1240\, nm \cdot V \right)$

સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $({V_0})$:

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન $3.3 \text{ eV}$ છે. તો તેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી થશે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણપુંજ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર પડે છે,જે ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ માં રાખેલ છે. સૌથી વધુ ઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન,જે ક્ષેત્રને લંબ રૂપે ગતિ કરે છે,તે $R$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર ચાપમાં વળે છે. જો આ પ્રયોગ $\lambda$ ના વિવિધ મૂલ્યો માટે કરવામાં આવે,તો $B^2$ વિરુદ્ધ $\frac{1}{\lambda}$ નો આલેખ કેવો દેખાશે (અન્ય તમામ રાશિઓ અચળ રાખતા)?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન ત્યારે જ થાય છે જ્યારે આપાત પ્રકાશ પાસે ચોક્કસ લઘુત્તમ કરતાં વધુ હોય