ऑपरेशनल एम्पलीफायर एक

  • A
    डिजिटल $IC$
  • B
    लीनियर $IC$
  • C
    $OR$ गेट
  • D
    $AND$ गेट

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यदि डायोड में फॉरवर्ड वोल्टेज बढ़ाया जाता है,तो डिप्लेशन परत की मोटाई .......

एक $p-n$ जंक्शन डायोड का इन-बिल्ट विभव (built-in potential) $0.7 \,V$ है। यदि डायोड को फॉरवर्ड बायस में रखा जाता है और आरोपित वोल्टेज $0.3 \,V$ है, तो प्रभावी अवरोध ऊँचाई (effective barrier height) क्या होगी ($\,V$ में)?

निम्नलिखित में से कौन सा घटक $IC$ (इंटीग्रेटेड सर्किट) से आसानी से प्राप्त नहीं किया जा सकता है?

निम्नलिखित परिपथ पर विचार करें। इनपुट में दिया गया तरंग रूप चित्रानुसार है। यदि ${V_{B_1}}$ और ${V_{B_2}}$ इनपुट के शिखर मान से कम हैं,तो आउटपुट कैसा दिखेगा?

Difficult
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निम्नलिखित तालिका एक दिए गए डायोड के लिए प्राप्त $V$ और $I$ के मानों का सेट प्रदान करती है। मान लीजिए कि विशेषताएँ लगभग रैखिक हैं। इस सीमा में,दिए गए डायोड का फॉरवर्ड और रिवर्स बायस प्रतिरोध क्रमशः क्या है?
स्थिति $V$ $I$
फॉरवर्ड बायसिंग $2.0 \, V$ $60 \, mA$
फॉरवर्ड बायसिंग $2.4 \, V$ $80 \, mA$
रिवर्स बायसिंग $0 \, V$ $0 \, \mu A$
रिवर्स बायसिंग $-2 \, V$ $-0.25 \, \mu A$

Difficult
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