$5000 \; \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $1.9 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ પ્લેટ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા ............ $eV$ હશે.

ધાતુની સપાટી $400 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. બહાર આવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા $1.68 \ eV$ માલૂમ પડે છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) ......... $eV$ છે. $(hc = 1240 \ eV \cdot nm)$

જ્યારે $300 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર પડે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મુક્ત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે,$600 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બંને ઉત્સર્જકોના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર શું છે?

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $6.2\, eV$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ,જેના માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5\, V$ છે,તે કયા વિસ્તારમાં આવેલી છે?

$6.4 \times 10^{-5} \; W/cm^{2}$ તીવ્રતા ધરાવતા વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણના કિરણપુંજની તરંગલંબાઈ $\lambda = 310 \; nm$ છે. તે $1 \; cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ધાતુની સપાટી (વર્ક ફંક્શન $\varphi = 2 \; eV$) પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. જો દર $10^{3}$ ફોટોન દીઠ એક ફોટોન ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરતું હોય, તો $1 \; s$ માં ઉત્સર્જિત થતા ઇલેક્ટ્રોનની કુલ સંખ્યા $10^{x}$ છે. તો $x$ નું મૂલ્ય શોધો. $(hc = 1240 \; eV \cdot nm, 1 \; eV = 1.6 \times 10^{-19} \; J)$

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટી પર આપાત થાય છે અને $E$ ઉર્જા સાથે ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો $E$ ને મૂળ મૂલ્ય કરતા બમણું કરવામાં આવે,તો તરંગલંબાઈ બદલાઈને $\lambda_1$ થાય છે. નીચેનામાંથી કયું સાચું છે?