$E$ ઊર્જા ધરાવતો પ્રકાશ $\frac{E}{3}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર લંબરૂપે આપાત થાય છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $K$ કેટલી હશે?

એક ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $5 \times 10^{-10} \, m$ છે. જ્યારે તેને $2 \times 10^{-10} \, m$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. જો આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું થશે?

જ્યારે કોઈ ચોક્કસ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી લઘુત્તમ પોટેન્શિયલ $6.0 \ V$ છે. જો બીજા સ્ત્રોતનો ઉપયોગ કરવામાં આવે જેની તરંગલંબાઈ પ્રથમ કરતા ચાર ગણી અને તીવ્રતા પ્રથમ કરતા અડધી હોય,તો આ પોટેન્શિયલ ઘટીને $0.6 \ V$ થઈ જાય છે. પ્રથમ સ્ત્રોતની તરંગલંબાઈ અને ધાતુનું વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે કેટલું હશે? $\left[\text{લો } hc = 1.24 \times 10^{-6} \ J \ m\right]$

ફોટોસેલમાં આપાત તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ $u$ છે. જો આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને $3\lambda / 4$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપ કેટલી હશે?

$491\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત ફોટોસેન્સિટિવ સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $0.710\, V$ છે. જ્યારે આપાત તરંગલંબાઈ બદલીને નવી કિંમત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.43\, V$ થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ ....... $nm$ છે.

જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશ સાથે ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $6V_0$ છે. જ્યારે આ જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ સાથે પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2V_0$ છે. આ સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી છે?