સિલિકોન સ્ફટિકમાં ફોરબિડન ગેપની પહોળાઈ $1.1 \, eV$ છે. જ્યારે સ્ફટિકને $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફર્મી લેવલનું કન્ડક્શન બેન્ડથી અંતર કેટલું હોય છે?
- A$0.55 \, eV$ કરતા વધારે
- B$0.55 \, eV$ જેટલું
- C$0.55 \, eV$ કરતા ઓછું
- D$1.1 \, eV$ જેટલું
Explore More
Similar Questions
ધારો કે $n_e$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા છે અને $v_d$ એ ડ્રિફ્ટ વેગ છે. જ્યારે તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે:
Medium
View Solutionઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોનમાં હોલ અને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા સંતુલન સ્થિતિમાં $1.4 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જ્યારે તેને ઇન્ડિયમ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે અને હોલની સાંદ્રતા $n_{h} = 4 \times 10^{22} \ m^{-3}$ હોય,ત્યારે ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?
એક શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકમાં $301 \ K$ તાપમાને ઇલેક્ટ્રોન-હોલ સાંદ્રતા $10^{16} \ m^{-3}$ છે. હવે,દર ઘન મીટર દીઠ $10^{21}$ ફોસ્ફરસના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે. સિલિકોનમાં નવી હોલ સાંદ્રતા (દર $m^3$ દીઠ) કેટલી હશે?
$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે અને તે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જો ઈન્ડિયમના ડોપિંગ પછી હોલની સાંદ્રતા $(n_h)$ વધીને $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય,તો ડોપ્ડ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.
Easy
View Solutionસેમિકન્ડક્ટરના વીજભારના સંદર્ભમાં નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?
Easy
View SolutionVedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo