फोटोडायोड की कार्यप्रणाली में,रिवर्स करंट किस पर निर्भर करता है?

पदार्थ $A$ का उपयोग करके सौर विकिरण के emf में कुशल रूपांतरण के लिए एक सौर सेल बनाया जाना है। सौर सेल को पदार्थ $B$ के कोटिंग की मदद से यांत्रिक रूप से सुरक्षित किया जाना है। यदि पदार्थों $A$ और $B$ की बैंड गैप ऊर्जा क्रमशः $E_{A}$ और $E_{B}$ है,तो सौर सेल के बेहतर प्रदर्शन के लिए निम्नलिखित में से कौन सा विकल्प इष्टतम है?

$2.8 \; eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक (semiconductor) से एक $p-n$ फोटोडायोड बनाया गया है। क्या यह $6000 \; nm$ की तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है?

जब $LED$ का निर्माण एल्युमीनियम गैलियम आर्सेनाइड $(AlGaAs)$ का उपयोग करके किया जाता है,तो यह क्या उत्सर्जित करता है?

प्रकाश उत्सर्जक डायोड $(LED)$ का योजनाबद्ध प्रतीक है:

सौर सेल के लिए $Si$ और $GaAs$ को पसंदीदा सामग्री क्यों माना जाता है?