$1.13 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $310 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત થતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) કેટલું હશે ($V$ માં)? [$hc = 1240 eV \cdot nm$ લો]

પ્રકાશના એક મોનોક્રોમેટિક બિંદુવત ઉદગમને ધાતુની સપાટીથી $d$ અંતરે મૂકવામાં આવે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોન પ્રતિ સેકન્ડ $n$ ના દરે ઉત્સર્જિત થાય છે અને તેમની મહત્તમ ગતિઊર્જા $E$ છે. જો ઉદગમને નજીક લાવીને $d / 2$ અંતરે રાખવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો ઉત્સર્જન દર અને મહત્તમ ગતિઊર્જા લગભગ કેટલી થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરને કારણે ધાતુની સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત થતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા:

જો ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પર શું અસર થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર સૌપ્રથમ સફળતાપૂર્વક કોના દ્વારા સમજાવવામાં આવી હતી?

$P$ પાવર ધરાવતા સ્ત્રોત દ્વારા ઉત્સર્જિત $\lambda$ તરંગલંબાઈના ફોટોન ફોટોસેલ પર આપાત થાય છે. જો સેલમાં ઉત્પન્ન થતો પ્રવાહ $I$ હોય,તો ફોટોસેલમાં પ્રવાહ ઉત્પન્ન કરતા આપાત ફોટોનની ટકાવારી કેટલી હશે? (જ્યાં $h$ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $c$ શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશની ઝડપ છે)