निम्नलिखित आकृति में,कौन से डायोड फॉरवर्ड बायस में हैं?

जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड को रिवर्स बायस किया जाता है,तो अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई

जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड पर रिवर्स बायस लगाया जाता है,तो विभव प्राचीर (potential barrier) पर क्या प्रभाव पड़ता है?

चित्र में एक अर्धचालक डायोड के $I-V$ अभिलक्षण दर्शाए गए हैं। $V = -8 \text{ V}$ और $I_{d} = 10 \text{ mA}$ पर डायोड का प्रतिरोध क्रमशः क्या होगा?

एक $p-n$ जंक्शन को एक संधारित्र (capacitor) के रूप में मानें,जिसमें $p$ और $n$-पदार्थ पतले धातु इलेक्ट्रोड के रूप में और अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई उनके बीच की दूरी के रूप में कार्य करती है। इसके आधार पर,मान लें कि एक $n-p-n$ ट्रांजिस्टर $CE$ कॉन्फ़िगरेशन में एम्पलीफायर के रूप में काम कर रहा है। यदि $C_1$ और $C_2$ क्रमशः बेस-एमिटर और कलेक्टर-एमिटर जंक्शन कैपेसिटेंस हैं,तो :

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में,गर्म होने के कारण तापमान में परिवर्तन