આપેલ પરિપથમાં,જો ડાયોડ માટે ફોરવર્ડ વોલ્ટેજ ડ્રોપ $0.5\, V$ હોય,તો પ્રવાહ.........$mA$ થશે.

ડાયોડ $D_1$ માટે,ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ $20 \ \Omega$ છે અને રિવર્સ બાયસ અવરોધ $600 \ \Omega$ છે. ડાયોડ $D_2$ માટે,ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ $30 \ \Omega$ છે અને રિવર્સ બાયસ અવરોધ $200 \ \Omega$ છે. જો $(i)$ $A$ ઉચ્ચ પોટેન્શિયલ પર હોય અને $(ii)$ $B$ ઉચ્ચ પોટેન્શિયલ પર હોય,તો $A$ અને $B$ વચ્ચેનો સમતુલ્ય અવરોધ શોધો.

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં બેન્ડ ગેપ $0.6 eV$ છે. આ સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડી બનાવવા માટે સક્ષમ ઇલેક્ટ્રોમેગ્નેટિક રેડિયેશનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($nm$ માં)? [$hc = 1242 eV-nm$ નો ઉપયોગ કરો]

$8V$ નો સોર્સ વોલ્ટેજ આકૃતિમાં દર્શાવેલ ડાયોડને $100 \Omega$ ના કરંટ-લિમિટિંગ રઝિસ્ટર દ્વારા ચલાવે છે. તો ડાયોડના $V-I$ લાક્ષણિકતાઓ પર લોડ લાઇનના ઢાળનું મૂલ્ય કેટલું હશે?

જ્યારે ફોરવર્ડ બાયસ વોલ્ટેજમાં $0.6 \, V$ નો ફેરફાર કરવામાં આવે ત્યારે જંકશન ડાયોડમાંથી પસાર થતા પ્રવાહમાં $12 \, mA$ નો ફેરફાર થાય છે. તો ડાયનેમિક અવરોધ કેટલો હશે?

આકૃતિમાં $P-N$ જંકશન ડાયોડનો $i-V$ લાક્ષણિક આલેખ દર્શાવેલ છે. જ્યારે $2 \; V$ નો ફોરવર્ડ બાયસ લાગુ કરવામાં આવે ત્યારે $P-N$ જંકશનનો આશરે ડાયનેમિક અવરોધ ....... $\Omega$ છે.