ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના કિસ્સામાં,માપવામાં આવેલા સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ એક સીધી રેખા છે. આ રેખાના ઢાળને ઈલેક્ટ્રોનના વિદ્યુતભાર $(e)$ વડે ગુણતા શું મળે છે?

એક ઇલેક્ટ્રોન અને પ્રોટોન એકબીજાથી ઘણા દૂર છે। ઇલેક્ટ્રોન $3 \, eV$ ની ગતિઊર્જા સાથે પ્રોટોન તરફ ગતિ કરવાનું શરૂ કરે છે। પ્રોટોન ઇલેક્ટ્રોનને પકડી લે છે અને હાઇડ્રોજન પરમાણુને બીજી ઉત્તેજિત અવસ્થામાં બનાવે છે। પરિણામી ફોટોન $4000 \, Å$ ની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ ધરાવતી પ્રકાશસંવેદનશીલ ધાતુ પર આપાત થાય છે। ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? ($eV$ માં)

જ્યારે ધાતુની સપાટીને $\lambda_1$ અને $\lambda_2$ તરંગલંબાઇના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ અનુક્રમે $V$ અને $2V$ છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) શોધો ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ,$\lambda_1 > \lambda_2$).

$\nu_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $4\nu_0$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

$9 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર શરૂ કરી શકે તેવી પ્રકાશની સૌથી લાંબી તરંગલંબાઈ કેટલી છે?

ચોક્કસ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે કટ-ઓફ આવૃત્તિ $\nu$ છે. જો $\nu$ આવૃત્તિવાળું વિકિરણ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ શક્ય વેગ કેટલો હશે? ($m$ એ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ છે)