कमरे के तापमान पर एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होल्स की संख्या होती है:

बाह्य (extrinsic) अर्धचालकों के लिए,जब डोपिंग स्तर बढ़ाया जाता है:

एक $P$-प्रकार के अर्धचालक में ग्राही स्तर (acceptor level) संयोजी बैंड (valence band) से $57 \, meV$ ऊपर है। एक होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या होगी? (प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J-s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^8 \, m/s$, इलेक्ट्रॉन का आवेश $e = 1.6 \times 10^{-19} \, C$)

एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक के लिए,जहाँ $n_{h}$ और $n_{e}$ क्रमशः प्रति इकाई आयतन में होल्स की संख्या और प्रति इकाई आयतन में इलेक्ट्रॉनों की संख्या हैं,निम्नलिखित में से कौन सा संबंध सत्य है?

यदि $n_e$ और $v_d$ एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व और अनुगमन वेग (drift velocity) हैं,तो तापमान बढ़ाने पर क्या होता है?

यदि $n_{e}$ और $n_{h}$ एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होलों की सांद्रता हैं,तो तापीय साम्यावस्था में नैज वाहक सांद्रता $(n_i)$ है