ઓરડાના તાપમાને આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા કેટલી હોય છે?

વિધાન: ઓરડાના તાપમાને $p-$ પ્રકારના સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા શુદ્ધ સિલિકોન સેમિકન્ડક્ટર કરતા ઓછી હોય છે.
કારણ: આ દ્રવ્યમાન ક્રિયાના નિયમ (law of mass action) ને કારણે છે.

જ્યારે અર્ધવાહકમાં થોડી માત્રામાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા:

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે અને તે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. જો ઈન્ડિયમના ડોપિંગ પછી હોલની સાંદ્રતા $(n_h)$ વધીને $3 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય,તો ડોપ્ડ $Si$ માં ઈલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.

એક આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરને નીચેનામાંથી કોના દ્વારા ડોપિંગ કરીને $N$-ટાઈપ બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવામાં આવે છે?

બાહ્ય (extrinsic) $P$ અને $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર પદાર્થોમાં,અશુદ્ધિના પરમાણુઓ અને શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટર પરમાણુઓનો ગુણોત્તર આશરે કેટલો હોય છે?