ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં પ્રકાશના બિંદુવત ઉદગમનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે. જો ઉદગમને ઉત્સર્જક ધાતુથી દૂર લઈ જવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

એક ધાતુની ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v$ છે. જ્યારે $4v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

બે સમાન કેપેસિટર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ગોઠવેલા છે. પ્લેટ $1$ નું વર્ક ફંક્શન $\phi \ eV$ છે. બેટરીનું $emf$ $\frac{\phi}{e}$ છે. જો આપાત ફોટોનની ઉર્જા $hv$ હોય,તો પ્લેટ $2$ પર પહોંચતા $e^-$ ની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા કેટલી હશે?

એક ધાતુની સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ $6600 \, \mathring{A}$ છે. આ માટેનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કેટલું હશે?

એક ધાતુની પ્લેટ પર $J$ તીવ્રતા અને $v$ આવૃત્તિ ધરાવતા પ્રકાશના કિરણોત્સર્ગ દ્વારા $T$ ગતિઊર્જા સાથે ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. તો,નીચેનામાંથી કયું સાચું હશે?

એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v$ પર ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થાય છે. જો $4v$ આવૃત્તિનું વિકિરણ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? ($m=$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું દળ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)