એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલમાં,આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $4000 \, \mathring{A}$ થી બદલીને $3600 \, \mathring{A}$ કરવામાં આવે છે. સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલમાં થતો ફેરફાર ............. $V$ હશે.

એક ધાતુ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક વર્ક ફંક્શન $2.4 \ eV$ છે. આપેલી ચાર તરંગલંબાઈઓમાંથી,કઈ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન થશે નહીં ($nm$ માં)?

ધાતુ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $1.8 \times 10^{6} \ m/s$ છે. ઇલેક્ટ્રોનનો વિશિષ્ટ વીજભાર $1.8 \times 10^{11} \ C/kg$ લો. તો વોલ્ટમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,$\lambda$ અને $\frac{\lambda}{2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા આપાત પ્રકાશ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $V_{1}$ અને $V_{2}$ માપવામાં આવ્યું હતું. $V_{1}$ અને $V_{2}$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

ધાતુની વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) કરતા બમણી અને પાંચ ગણી ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન ક્રમશઃ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. આ બે કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ જે ફોટોસેન્સિટિવ ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનનું કારણ બને છે તે $\lambda_0$ છે. $\frac{\lambda_0}{3}$ અને $\frac{\lambda_0}{9}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશના બે કિરણો ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?