એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરમાં, પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ઘટાડીને ચોથા ભાગનું કરવામાં આવે છે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં $2$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું માધ્યમ ભરવામાં આવે છે। જો કેપેસિટરની પ્રારંભિક કેપેસિટન્સ $4 \mu F$ હોય, તો તેની નવી કેપેસિટન્સ કેટલી હશે ($\mu F$ માં)?

એક ઘર્ષણરહિત ડાયઇલેક્ટ્રિક પ્લેટ $S$ ને ઘર્ષણરહિત ટેબલ $T$ પર મૂકવામાં આવી છે. તેની નજીક એક ચાર્જ થયેલ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $C$ (જેની પ્લેટો પણ ઘર્ષણરહિત છે) રાખવામાં આવ્યું છે. પ્લેટ $S$ કેપેસિટરની પ્લેટોની વચ્ચે આંશિક રીતે છે. જ્યારે પ્લેટ $S$ ને મુક્ત કરવામાં આવે છે, ત્યારે શું થાય છે?

એક હવાના કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $15\,\mu F$ છે અને સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $6\,mm$ છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $3\,mm$ જાડાઈની તાંબાની પ્લેટ સપ્રમાણ રીતે મૂકવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ .........$\mu F$ થશે.

નીચે આપેલા સર્કિટમાં,જો $C_2$ માં ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કરવામાં આવે,તો $C_1$ પરનો વિદ્યુતભાર:

$90 \ pF$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $20 \ V$ ના $emf$ ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $K = \frac{5}{3}$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક મટીરીયલ મૂકવામાં આવે,તો પ્રેરિત વિદ્યુતભારનું મૂલ્ય .......$nC$ થશે.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_0$ છે. જો સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $\varepsilon_r$ અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતરના ચોથા ભાગ જેટલી જાડાઈ ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ $C$ થાય છે. તો ગુણોત્તર $\frac{C}{C_0}$ શોધો.