एक आदर्श $p-n$ जंक्शन डायोड का अभिलक्षणिक वक्र (characteristic curve) है:

जब एक जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है,तो निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही नहीं है?

ब्रेकडाउन वोल्टेज और सैचुरेशन करंट क्या है?

$p-n$ जंक्शन डायोड में विभव प्राचीर (potential barrier) का कारण क्या है?

एक सिलिकॉन डायोड में $100\, mA$ की फॉरवर्ड $DC$ धारा के लिए फॉरवर्ड वोल्टेज ड्रॉप $1.2\, V$ है। $10\, V$ के रिवर्स वोल्टेज के लिए इसका रिवर्स करंट $1\times10^{-6}\, A$ है। डायोड का बल्क और रिवर्स प्रतिरोध क्या है?

फॉरवर्ड बायस के दौरान एक डायोड की वोल्टेज-करंट विशेषता $I = 7.8 \times 10^{-5} e^{6.5 V_D}$ द्वारा दी गई है,जहाँ $I$ करंट $mA$ में है और $V_D$ डायोड वोल्टेज $V$ में है। जब करंट $4 \ mA$ हो,तो डायोड का डायनेमिक प्रतिरोध $\Omega$ में ज्ञात कीजिए।