જો $n_e$ અને $v_d$ એ અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા અને ડ્રિફ્ટ વેગ હોય,તો તાપમાન વધારવામાં આવે ત્યારે શું થાય છે?

$n$-ટાઈપ સિલિકોનમાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જ્યારે સેમિકન્ડક્ટરને ડોનર અશુદ્ધિ સાથે ડોપ કરવામાં આવે છે ત્યારે,

જ્યારે બેટરીને ધાતુના તાર વડે $P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર સાથે જોડવામાં આવે છે,ત્યારે સેમિકન્ડક્ટરમાં (મુખ્યત્વે),ધાતુના તારની અંદર અને બેટરીની અંદરનો પ્રવાહ અનુક્રમે કયા ચાર્જ કેરિયર્સને કારણે હોય છે?

$1 \ m^3$ દીઠ સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા $5 \times 10^{28}$ છે. આમાં $4.5 \times 10^{21}$ પરમાણુ $/ m^3$ આર્સેનિક ઉમેરવામાં આવે છે. ડોપિંગ પછી ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા અને હોલ્સની સંખ્યાનો ગુણોત્તર કેટલો થશે? ($n_i = 1.5 \times 10^{16} / m^3$ લો)

જર્મેનિયમ સ્ફટિકને $P-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવા માટે ઉમેરવામાં આવતી અશુદ્ધિની સંયોજકતા કેટલી હોય છે?