નીચે બે વિધાનો આપેલા છે.
વિધાન ($I$) : $\pi$ બંધકારક $MO$ આંતર-કેન્દ્રિય અક્ષની ઉપર અને નીચે ઓછી ઈલેક્ટ્રોન ઘનતા ધરાવે છે.
વિધાન ($II$) : $\pi^*$ બંધપ્રતિકારક $MO$ કેન્દ્રો વચ્ચે નોડ ધરાવે છે.
ઉપરનાં વિધાનોના સંદર્ભમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી બંધબેસતો જવાબ પસંદ કરો.
બંને વિધાન $I$ અને વિધાન $II$ ખોટાં છે.
બંને વિધાન $I$ અને વિધાન $II$ સાચાં છે.
વિધાન $I$ ખોટું છે, પણ વિધાન $II$ સાચું છે.
વિધાન $I$ સાચું છે, પણ વિધાન $II$ ખોટું છે.
${{\rm{O}}_2}{\rm{ + e}} \to {\rm{O}}_2^ - $ બને ત્યારે આ ઇલેક્ટ્રોન કઈ આણ્વીય કક્ષકમાં ઉમેરાય ? તે જણાવો ?
$C{N^ - },CO$અને $N{O^ + }$ ઘટકોમાં સામાન્ય ઘટના નીચેનામાંથી કઇ હશે?
નીચેનામાંથી ક્યો ઘટક પ્રતિચુંબકીય છે ?
$CaC_2$ માંના $C_2^{2 - }$ માં બંધ ની સંખ્યા અને પ્રકાર જણાવો .
નીચેના પૈકી શામાં અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન છે ?