ચાર સમાન ધાતુની પ્લેટો હવામાં એકબીજાથી સમાન અંતર $d$ પર રાખેલી છે. દરેક પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $S$ છે. જો સૌથી બહારની પ્લેટોને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ વાહક તાર દ્વારા જોડવામાં આવે, તો બિંદુઓ $A$ અને $B$ વચ્ચેનું કેપેસીટન્સ કેટલું હશે?

$5\,mm$ ના અંતરે રહેલી બે સમાંતર પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $50\,V$ છે. $10^{-15}\,kg$ દળ અને $10^{-11}\,C$ વિદ્યુતભાર ધરાવતો એક કણ $10^7\,m/s$ ના વેગથી તેમાં પ્રવેશે છે. તો કણનો પ્રવેગ કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2 \ mm$ છે અને તેને $300 \ V$ ની બેટરી સાથે જોડીને ચાર્જ કરવામાં આવે છે. તો તેની ઊર્જા ઘનતા $J/m^3$ માં કેટલી હશે?

જ્યારે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની મધ્યમાં મૂકેલો પરિક્ષણ વિદ્યુતભાર બળ $F$ અનુભવે છે,ત્યારે જો એક પ્લેટ દૂર કરવામાં આવે તો તે જ પરિક્ષણ વિદ્યુતભાર પર લાગતું બળ કેટલું હશે?

એક ચાર્જ થયેલ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની અવાહક પ્લેટો (પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ઓછું છે) સ્થિત-વિદ્યુત આકર્ષણને કારણે એકબીજાની નજીક આવી રહી છે. કોઈ અન્ય બળ કાર્યરત નથી અને કોઈ વિકિરણ થતું નથી તેમ ધારીને,નીચેનામાંથી કયો આલેખ પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત $(V)$ નો સમય $(t)$ સાથેનો ફેરફાર આશરે દર્શાવે છે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $1\; kV$ ના વોલ્ટેજ રેટિંગ સાથે ડિઝાઇન કરવાનું છે,જેમાં $3$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને લગભગ $10^{7}\; V\,m^{-1}$ ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ ધરાવતા પદાર્થનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો છે. (ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ એ મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે જે પદાર્થ બ્રેકડાઉન વગર સહન કરી શકે છે,એટલે કે,આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ કર્યા વગર.) સુરક્ષા માટે,આપણે ઇચ્છીએ છીએ કે ક્ષેત્ર ક્યારેય ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થના $10\%$ થી વધે નહીં. $50\; pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ ($cm^2$ માં) કેટલું હોવું જોઈએ?