આપેલ અણુ $x$ માટે,ઇલેક્ટ્રોફાઇલના હુમલા માટે પસંદગીનું સ્થાન કયું છે?

$C-Cl$ બંધના વિષમ વિભાજન (Heterolysis) થી શું ઉત્પન્ન થાય છે?

ઉપરની પ્રક્રિયામાં,ઇલેક્ટ્રોફાઇલ માત્ર મેટા સ્થાન પર જ વિસ્થાપિત થાય છે,તેનું કારણ છે:
$I$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર વધુ છે
$II$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર પ્રમાણમાં ઓછી છે
$III$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા મેટા સ્થાન પર ઓછી છે
$IV$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા મેટા સ્થાન પર પ્રમાણમાં વધુ છે
સાચો જવાબ છે:

અંતિમ નીપજ $(B)$ શું હશે?

ઇથેનોલ $(EtOH)$ માં નીચેની સોલ્વોલિસિસ પ્રતિક્રિયાઓના દર $(R_1, R_2, R_3)$ ની તુલના કરો:

આપેલ ઉર્જા પ્રોફાઇલ આકૃતિના આધારે,સંક્રાંતિ અવસ્થા $2$ $(T.S. 2)$ બંધારણીય રીતે નીચેનામાંથી કોના જેવી હોવાની સૌથી વધુ શક્યતા છે?