ઇથેનોલ $(EtOH)$ માં નીચેની સોલ્વોલિસિસ પ્રતિક્રિયાઓના દર $(R_1, R_2, R_3)$ ની તુલના કરો:

કોલમ $I$ માં આપેલી પ્રતિક્રિયાઓને કોલમ $II$ માં આપેલા યોગ્ય પ્રકારના પગલાં/પ્રતિક્રિયાશીલ મધ્યવર્તી સાથે જોડો.
| કોલમ $I$ | કોલમ $II$ |
| :--- | :--- |
| $(A)$ $1-$ફિનાઈલપેન્ટેન$-1,4-$ડાયોન $\xrightarrow{aq. NaOH}$ $3-$ફિનાઈલસાયક્લોપેન્ટ$-2-$ઈન$-1-$ઓન | $(p)$ ન્યુક્લિયોફિલિક વિસ્થાપન |
| $(B)$ $4-$ક્લોરો$-1-$ફિનાઈલબ્યુટેન$-1-$ઓન $\xrightarrow{CH_3MgI}$ $2-$મિથાઈલ$-2-$ફિનાઈલટેટ્રાહાઈડ્રોફ્યુરાન | $(q)$ ઇલેક્ટ્રોફિલિક વિસ્થાપન |
| $(C)$ $4-$હાઈડ્રોક્સી$-1-$ફિનાઈલબ્યુટેન$-1-$ઓન $\xrightarrow{H_2SO_4}$ $2-$ફિનાઈલ$-4,5-$ડાયહાઈડ્રોફ્યુરાન | $(r)$ નિર્જલીકરણ |
| $(D)$ $4-$મિથાઈલ$-4-$ફિનાઈલપેન્ટેન$-1-$ઓલ $\xrightarrow{H_2SO_4}$ $1,1-$ડાયમિથાઈલ$-1,2,3,4-$ટેટ્રાહાઈડ્રોનેપ્થલીન | $(s)$ ન્યુક્લિયોફિલિક યોગશીલ |
| | $(t)$ કાર્બેનાયન |

કાર્બનિક સંયોજનો સાથેની આયનીય પ્રતિક્રિયાઓ શેના દ્વારા આગળ વધે છે:
$(A)$ હોમોલિટીક બંધ વિભાજન
$(B)$ હેટરોલિટીક બંધ વિભાજન
$(C)$ મુક્ત મુલકનું નિર્માણ
$(D)$ પ્રાથમિક મુક્ત મુલક
$(E)$ દ્વિતીયક મુક્ત મુલક
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

ઉપરની પ્રક્રિયામાં,ઇલેક્ટ્રોફાઇલ માત્ર મેટા સ્થાન પર જ વિસ્થાપિત થાય છે,તેનું કારણ છે:
$I$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર વધુ છે
$II$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ઓર્થો અને પેરા સ્થાન પર પ્રમાણમાં ઓછી છે
$III$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા મેટા સ્થાન પર ઓછી છે
$IV$. ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા મેટા સ્થાન પર પ્રમાણમાં વધુ છે
સાચો જવાબ છે:

નીચેનામાંથી કયું વિધાન $True$ (સાચું) છે?

નીચેની વિલોપન પ્રક્રિયામાં મુખ્ય નીપજ તરીકે બનતો આલ્કીન કયો છે?