આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરની ફર્મી ઉર્જા સ્તર ક્યાં હોય છે?

  • A
    ફોરબિડન ગેપની મધ્યમાં
  • B
    ફોરબિડન ગેપની મધ્યની નીચે
  • C
    ફોરબિડન ગેપની મધ્યની ઉપર
  • D
    ફોરબિડન ગેપની બહાર

Explore More

Similar Questions

અર્ધવાહકમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા ઘનતા $(n)$ અને તાપમાન $(T)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું છે?

$\sigma_1$ અને $\sigma_2$ એ અનુક્રમે $Ge$ અને $Na$ ની વિદ્યુત વાહકતા છે. જો આ પદાર્થોને ગરમ કરવામાં આવે,તો

સિલિકોનનો એનર્જી ગેપ $1.14 \ eV$ છે. જે મહત્તમ તરંગલંબાઈ પર સિલિકોન ઉર્જાનું શોષણ કરવાનું શરૂ કરશે તે છે

$C$ અને $Si$ બંને સમાન લેટીસ બંધારણ ધરાવે છે; દરેક માં $4$ બંધન ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. જોકે,$C$ એ અવાહક છે જ્યારે $Si$ એ શુદ્ધ અર્ધવાહક છે. આનું કારણ એ છે કે:

$CdS$ કેવા પ્રકારનો સેમિકન્ડક્ટર (અર્ધવાહક) છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo