क्या मुक्त इलेक्ट्रॉन उच्च विभव (higher potential) या निम्न विभव (lower potential) वाले क्षेत्र की ओर यात्रा करते हैं?

$R_1$ और $R_2$ त्रिज्या वाले दो संकेंद्रित अर्ध-वलयों (half rings) के केंद्र पर विद्युत विभव ज्ञात कीजिए,जिनकी रैखिक आवेश घनत्व $\lambda$ समान है $(\varepsilon_0 = \text{निर्वात की विद्युतशीलता})$

दो बिंदु आवेशों $q_1$ और $q_2$ के बीच की दूरी $d$ है। जब $q_2$ को $q_1$ की ओर $x$ दूरी तक विस्थापित किया जाता है,तो निकाय की स्थितिज ऊर्जा में कितनी वृद्धि होगी? $(x < d)$ (जहाँ $\frac{1}{4 \pi \varepsilon_0} = K$ एक नियतांक है)।

$x$-अक्ष पर,तीन आवेश $\frac{q}{2}, -q$ और $\frac{q}{2}$ को क्रमशः $x=0, x=a$ और $x=2a$ पर रखा गया है। आवेश $-q$ से $r$ दूरी पर स्थित बिंदु $P$ पर परिणामी विद्युत विभव ($\varepsilon_0$ मुक्त स्थान की विद्युतशीलता है) क्या होगा?

$10 \, cm$ त्रिज्या वाले एक आवेशित चालक गोले के केंद्र से $5 \, cm$ की दूरी पर विद्युत विभव $V$ है,तो केंद्र से $15 \, cm$ की दूरी पर स्थित बिंदु पर विभव क्या होगा?

$R$ त्रिज्या वाले एक समान रूप से आवेशित गोलीय कोश के लिए $V$ बनाम $r$ का ग्राफ खींचिए।