एक P-N जंक्शन पर अलग-अलग वोल्टेज लागू किए जात | vedclass

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Question

(B) एक $P-N$ जंक्शन डायोड गैर-रेखीय $V-I$ विशेषताएँ प्रदर्शित करता है।फॉरवर्ड बायसिंग (धनात्मक वोल्टेज $+V$) में,प्रतिरोध बहुत कम होता है,जिससे एक बड़

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(B) एक $P-N$ जंक्शन डायोड गैर-रेखीय $V-I$ विशेषताएँ प्रदर्शित करता है।फॉरवर्ड बायसिंग (धनात्मक वोल्टेज $+V$) में,प्रतिरोध बहुत कम होता है,जिससे एक बड़ी धारा प्रवाहित होती है,जो वोल्टेज के साथ तेजी से (घातांकीय रूप से) बढ़ती है।रिवर्स बायसिंग (ऋणात्मक वोल्टेज $-V$) में,प्रतिरोध बहुत अधिक होता है,जिसके परिणामस्वरूप नगण्य (बहुत कम) रिवर्स सैचुरेशन धारा प्राप्त होती है।जो ग्राफ इस व्यवहार को सही ढंग से दर्शाता है,जिसमें धनात्मक वोल्टेज के लिए धारा में तीव्र वृद्धि और ऋणात्मक वोल्टेज के लिए लगभग शून्य धारा दिखाई देती है,वह विकल्प $B$ में दिया गया ग्राफ है।

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यह मानते हुए कि डायोड सिलिकॉन के हैं और उनका अग्र प्रतिरोध (forward resistance) शून्य है, निम्नलिखित परिपथ में धारा $I$ .......$mA$ है।

सिलिकॉन डायोड का $V-I$ अभिलक्षण चित्र में दर्शाया गया है। $(a) \; I_{D} = 15 \, mA$ और $(b) \; V_{D} = -10 \, V$ पर डायोड का प्रतिरोध ज्ञात कीजिए।

एक अर्धचालक (semiconductor) प्रबल विद्युत धारा के कारण क्षतिग्रस्त हो जाता है,इसका कारण है:

निम्नलिखित आरेखों में दिखाए गए डायोड में से कौन सा रिवर्स बायस्ड है?

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