यह मानते हुए कि डायोड सिलिकॉन के हैं और उनका अग्र प्रतिरोध (forward resistance) शून्य है, निम्नलिखित परिपथ में धारा $I$ .......$mA$ है।

जब एक सिलिकॉन $PN$ जंक्शन श्रेणी प्रतिरोध के साथ फॉरवर्ड बायस स्थिति में होता है,तो इसका नी वोल्टेज (knee voltage) $0.6\, V$ होता है। जब $PN$ जंक्शन को $2.6\, V$ की बैटरी से जोड़ा जाता है,तो इसमें प्रवाहित होने वाली धारा $5\, mA$ होती है। श्रेणी प्रतिरोध का मान.....$\Omega$ है।

यह मानते हुए कि जंक्शन डायोड आदर्श है, चित्र में दिखाए गए विन्यास में धारा क्या है ($\text{mA}$ में)?

एक $P-N$ जंक्शन डायोड $10 \ mA$ की धारा के साथ फॉरवर्ड बायस स्थिति में है। डायोड के सिरों पर विभव पतन (potential drop) $0.5 \ V$ है। यह मानते हुए कि धारा विभव से स्वतंत्र है,इस फॉरवर्ड बायस स्थिति को बनाए रखने के लिए $200 \ \Omega$ के प्रतिरोधक के साथ श्रेणीक्रम में जुड़ी बैटरी का अधिकतम वोल्टेज कितना होगा? (in $V$)

एक $p-n$ जंक्शन डायोड का इन-बिल्ट विभव (built-in potential) $0.7 \,V$ है। यदि डायोड को फॉरवर्ड बायस में रखा जाता है और आरोपित वोल्टेज $0.3 \,V$ है, तो प्रभावी अवरोध ऊँचाई (effective barrier height) क्या होगी ($\,V$ में)?

एक अनबायस्ड $PN$-जंक्शन में,जंक्शन पर विभव (potential) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?