અર્ધવાહક (semiconductor) માટે નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો:
$(A)$ $0 \ K$ તાપમાને કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(B)$ કોઈપણ તાપમાને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(C)$ તાપમાન વધવાની સાથે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વધે છે.
$(D)$ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વાહક (conductor) કરતા ઓછી હોય છે.

  • A
    $B, C, D$ સાચા છે પણ $A$ ખોટું છે.
  • B
    $A, B, C$ સાચા છે પણ $D$ ખોટું છે.
  • C
    $A, C, D$ સાચા છે પણ $B$ ખોટું છે.
  • D
    $A, B, C$ અને $D$ બધા સાચા છે.

Explore More

Similar Questions

ઓરડાના તાપમાને જર્મેનિયમના એનર્જી બેન્ડમાં ફોરબિડન એનર્જી ગેપ આશરે $......$ $eV$ હોય છે.

ઘન પદાર્થમાં વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડક્શન બેન્ડ નીચા તાપમાને એકબીજા પર ઓવરલેપ (વ્યાપ્ત) થાય છે. તો તે ઘન પદાર્થ કયો હોઈ શકે?

વિધાન-$1$: શુદ્ધ અર્ધવાહકનો અવરોધનો તાપમાન ગુણાંક ઋણ હોય છે.
વિધાન-$2$: તાપમાન વધારતા કન્ડક્શન બેન્ડમાં વધારે ચાર્જ કેરિયર્સ મુક્ત થાય છે.

$Sn, C, Si$ અને $Ge$ બધા સમૂહ $XIV$ ના તત્વો છે. તેમ છતાં,$Sn$ વાહક છે,$C$ અવાહક છે જ્યારે $Si$ અને $Ge$ અર્ધવાહકો છે. શા માટે?

Difficult
View Solution

$Ge$ માં ફોરબિડન એનર્જી ગેપ $0.72 eV$ છે. આપેલ છે કે $hc = 12400 eV-Å$. ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડી ઉત્પન્ન કરી શકે તેવા વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($Å$ માં)?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo