નીચેના વિધાનો માટે સાચું $(T)$ અથવા ખોટું $(F)$ નક્કી કરો અને તમારા જવાબ માટે સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
$(I)$ $O_{(g)}$ ની $I.P.$ એ $O^{-}_{(g)}$ ની $I.P.$ કરતા ઓછી છે.
$(II)$ $Ne_{(g)}$ ની $I.P.$ એ $Ne^{+}_{(g)}$ ની $I.P.$ કરતા વધારે છે.
$(III)$ $O^{+}_{(g)}$ ની $E.A.$ એ $O_{(g)}$ ની $E.A.$ કરતા વધારે છે.
$(IV)$ $N_{(g)}$ ની $I.P.$ એ $N^{+}_{(g)}$ ની $I.P.$ કરતા વધારે છે.

  • A
    $F, F, T, F$
  • B
    $T, T, T, T$
  • C
    $T, T, T, F$
  • D
    $F, T, F, T$

Explore More

Similar Questions

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

Difficult
View Solution

વિકર્ણ સંબંધ એટલે શું?

યાદી-$I$ ને યાદી-$II$ સાથે જોડો:
યાદી-$I$ યાદી-$II$
$A$. $Al^{3+} < Mg^{2+} < Na^{+} < F^{-}$ $I$. આયનીકરણ એન્થાલ્પી
$B$. $B < C < O < N$ $II$. ધાત્વીય ગુણધર્મ
$C$. $B < Al < Mg < K$ $III$. વિદ્યુતઋણતા
$D$. $Si < P < S < Cl$ $IV$. આયનીય ત્રિજ્યા

નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

કૉલમ-$I$ ને કૉલમ-$II$ સાથે જોડો
$A. S \rightarrow S^{-}$ $P. {\text{ઉષ્માશોષક પ્રક્રિયા}}$
$B. N^{-} \rightarrow N$ $Q. {\text{ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયા}}$
$C. O^{-} \rightarrow O^{2-}$ $R. {\text{નીપજમાં નિષ્ક્રિય વાયુ જેવી ઇલેક્ટ્રોન રચના}}$
$D. P \rightarrow P^{-}$ $S. {\text{નીપજમાં અર્ધ}-\text{પૂર્ણ ઇલેક્ટ્રોન રચના}}$
સાચી જોડ છે $:-$

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo