નીચેના વિધાનો માટે સાચું (T) અને ખોટું (F) નક | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(B) $(a) \, O_{(g)}$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે જરૂરી ઉર્જા એ $O_{(g)}$ ની $IP$ છે,જ્યારે $O_{(g)}^{-}$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે જરૂરી ઉર્જા

Vedclass · Accepted Answer

$F F T F$

Vedclass · Answer

(B) $(a) \, O_{(g)}$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે જરૂરી ઉર્જા એ $O_{(g)}$ ની $IP$ છે,જ્યારે $O_{(g)}^{-}$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવા માટે જરૂરી ઉર્જા એ $O_{(g)}^{-}$ ની $IP$ છે. $O_{(g)}^{-}$ એ ઋણ આયન હોવાથી,તટસ્થ $O$ પરમાણુ કરતા તેમાંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવો સરળ છે. તેથી,$IP(O) > IP(O^{-})$. વિધાન $(a)$ $F$ છે.$(b) \, Ne_{(g)}$ ની $IP$ એ તટસ્થ $Ne$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાની ઉર્જા છે. $Ne_{(g)}^{+}$ ની $IP$ એ $Ne^{+}$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાની ઉર્જા છે. ધન આયનમાંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવો વધુ મુશ્કેલ છે. તેથી,$IP(Ne^{+}) > IP(Ne)$. વિધાન $(b)$ $F$ છે.$(c) \, O_{(g)}^{+}$ માં ઇલેક્ટ્રોન ઉમેરતી વખતે મુક્ત થતી ઉર્જા એ $O_{(g)}^{+}$ ની $EA$ છે. $O^{+}$ ધન હોવાથી તે ઇલેક્ટ્રોનને મજબૂતીથી આકર્ષે છે. $EA(O^{+}) > EA(O)$. વિધાન $(c)$ $T$ છે.$(d) \, N_{(g)}$ ની $IP$ એ $N$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાની ઉર્જા છે. $N_{(g)}^{+}$ ની $IP$ એ $N^{+}$ માંથી ઇલેક્ટ્રોન દૂર કરવાની ઉર્જા છે. $IP(N^{+}) > IP(N)$. વિધાન $(d)$ $F$ છે.તેથી,સાચો ક્રમ $F F T F$ છે.

Similar Questions

આવર્ત કોષ્ટકના કયા સમૂહને બફર સમૂહ કહેવામાં આવે છે?

નીચેનામાંથી કઈ જોડી અલગ છે?

આવર્તમાં ડાબેથી જમણે જતાં નીચેનામાંથી કયા ગુણધર્મોનો સમૂહ સામાન્ય રીતે ઘટે છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module