कथन: रिवर्स बायस वाले $p-n$ जंक्शन का उपयोग प्रकाश की तीव्रता को मापने के लिए फोटो-डायोड के रूप में किया जा सकता है।
कारण: रिवर्स बायस स्थिति में धारा कम होती है लेकिन यह आपतित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन के प्रति अधिक संवेदनशील होती है।

  • A
    यदि कथन और कारण दोनों सही हैं और कारण,कथन की सही व्याख्या है।
  • B
    यदि कथन और कारण दोनों सही हैं लेकिन कारण,कथन की सही व्याख्या नहीं है।
  • C
    यदि कथन सही है लेकिन कारण गलत है।
  • D
    यदि कथन और कारण दोनों गलत हैं।

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$LED$ की अधिकतम रेटेड शक्ति $2 \text{ mW}$ है और इसे नीचे दिए गए चित्र में दिखाए अनुसार $5 \text{ V}$ के इनपुट वोल्टेज के साथ सर्किट में उपयोग किया जाता है। प्रतिरोध $R$ से गुजरने वाली धारा $0.5 \text{ mA}$ है। यह सुनिश्चित करने के लिए कि $LED$ क्षतिग्रस्त न हो,प्रतिरोध $R_S$ का न्यूनतम मान . . . . . . $\text{k}\Omega$ है।

यदि एक अर्धचालक फोटोडायोड $400\, nm$ की अधिकतम तरंगदैर्ध्य वाले फोटॉन का पता लगा सकता है, तो इसकी बैंड गैप ऊर्जा क्या होगी ($ eV$ में)? (दिया गया है: प्लांक नियतांक $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)

एक फोटो-डायोड के पदार्थ का बैंडगैप $2.0 \ eV$ है। यह पदार्थ न्यूनतम किस आवृत्ति वाले विकिरण का अवशोषण कर सकता है?

एक जंक्शन डायोड के लिए $I-V$ अभिलक्षण दिखाए गए हैं। यह उपकरण है

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