$P-N$ જંકશનને ફોરવર્ડ બાયસ આપવાથી

ફોરવર્ડ બાયસમાં $\text{P-N}$ જંકશનની $\text{I-V}$ લાક્ષણિકતા દર્શાવેલ છે. જંકશનનો આશરે ફોરવર્ડ અવરોધ કેટલો છે $-$ ($Omega$ માં)

$p-n$ જંકશનના $n$-વિસ્તારમાં રહેલો એક ઇલેક્ટ્રોન $5 \times 10^5 \ m/s$ ની ઝડપથી જંકશન તરફ ગતિ કરે છે. જો જંકશનનો બેરિયર પોટેન્શિયલ $0.45 \ V$ હોય,તો બેરિયરમાંથી પસાર થયા પછી ઇલેક્ટ્રોન જે ઝડપ સાથે $p$-વિસ્તારમાં પ્રવેશ કરે છે તે શોધો (ઇલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$ અને ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $m = 9 \times 10^{-31} \ kg$).

$P-N$ જંક્શનમાં ડેપ્લેશન સ્તર (depletion layer) બનવાનું કારણ શું છે?

આકૃતિમાં દર્શાવેલ સર્કિટમાં વપરાયેલ ડાયોડ તમામ પ્રવાહો પર $0.5\; V$ નો અચળ વોલ્ટેજ ડ્રોપ ધરાવે છે અને તેની મહત્તમ પાવર રેટિંગ $100\; mW$ છે. મહત્તમ પ્રવાહ મેળવવા માટે ડાયોડ સાથે શ્રેણીમાં જોડાયેલ અવરોધ $R$ નું મૂલ્ય કેટલું હોવું જોઈએ? ($\Omega$ માં)

$P-N$ જંકશન એ ............ છે.