$3 \ mH$ ઇન્ડક્ટન્સ અને $4 \ \Omega$ અવરોધ ધરાવતા $LR$ સર્કિટમાં $E=4 \cos (1000 t)$ વોલ્ટનું e.m.f. લાગુ પાડવામાં આવે છે. સર્કિટમાં મહત્તમ પ્રવાહ કેટલો હશે?

$\frac{1}{\pi} \text{ H}$ ઇન્ડક્ટન્સ ધરાવતું એક ગૂંચળું $300 \text{ } \Omega$ ના અવરોધ સાથે શ્રેણીમાં જોડાયેલું છે. જો આ સંયોજનને $(20 \text{ V}, 200 \text{ Hz})$ ના $A$.$C$. સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે,તો વોલ્ટેજ અને પ્રવાહ વચ્ચેનો ફેઝ એંગલ (કળા તફાવત) કેટલો હશે?

જ્યારે $100 \, V$ નો $DC$ વોલ્ટેજ ઇન્ડક્ટરને આપવામાં આવે છે, ત્યારે તેમાંથી $5 \, A$ નો $DC$ પ્રવાહ વહે છે. જ્યારે $200 \, V$ પીક વેલ્યુ (મહત્તમ મૂલ્ય) ધરાવતો $AC$ વોલ્ટેજ ઇન્ડક્ટર સાથે જોડવામાં આવે છે, ત્યારે તેનો ઇન્ડક્ટિવ રિએક્ટન્સ $20\sqrt{3} \, \Omega$ માલૂમ પડે છે. સર્કિટમાં વ્યય થતો પાવર . . . . . . $W$ છે.

$100 \,W - 300 \,V$ રેટિંગ ધરાવતો એક ઇલેક્ટ્રિક બલ્બ $500 \,V$ અને $\frac{150}{\pi} \,Hz$ ના $AC$ સપ્લાય સાથે જોડાયેલ છે. ઇલેક્ટ્રિક બલ્બને બચાવવા માટે જરૂરી ઇન્ડક્ટન્સ .......... $H$ છે.

$E = (25 \sin 1000 t) \ V$ ના ac સ્ત્રોત સાથે જોડાયેલ શ્રેણી $L, R$ સર્કિટનો પાવર ફેક્ટર $\frac{1}{\sqrt{2}}$ છે. જો emf ના સ્ત્રોતને બદલીને $E = (20 \sin 2000 t) \ V$ કરવામાં આવે,તો સર્કિટનો નવો પાવર ફેક્ટર કેટલો થશે?

આપેલ સર્કિટમાં,જો કોઈ ક્ષણે સ્ત્રોતનું $emf$ $5 \, V$ હોય અને તે જ ક્ષણે કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $4 \, V$ હોય,તો તે ક્ષણે $R$ પરનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત ..... $V$ હોઈ શકે.