નીચે દર્શાવેલ સર્કિટમાં એક અલ્ટરનેટિંગ વોલ્ટેજ $\varepsilon = 30 \sin 200 t$ (વોલ્ટમાં) લાગુ કરવામાં આવે છે. સર્કિટમાંથી વહેતા પ્રવાહનો કંપવિસ્તાર કેટલો હશે ($\text{ A}$ માં)?

આપેલ શ્રેણી $L-C-R$ સર્કિટમાં,ઈમ્પીડન્સ (impedance) કેટલું છે ($Omega$ માં)?

એક સર્કિટમાં $L$,$C$ અને $R$ ને $f$ આવૃત્તિ ધરાવતા એસી વોલ્ટેજ સ્ત્રોત સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. જ્યારે સર્કિટમાં પ્રવાહ વોલ્ટેજ કરતા $45^{\circ}$ આગળ હોય,ત્યારે $C$ નું મૂલ્ય કેટલું થાય?

નીચે આપેલા પરિપથમાં,ઉદગમનું emf $E_0 = 200 \, V$,$R = 20 \, \Omega$,$L = 0.1 \, H$ અને $C = 10.6 \, F$ છે. જો આવૃત્તિ બદલાતી હોય,તો આવૃત્તિ $f = 0$ અને $f = \infty$ પર પ્રવાહ કેટલો હશે?

$30 \Omega$ અવરોધ ધરાવતો અવરોધક, $10 \Omega$ રિએક્ટન્સ ધરાવતું ઇન્ડક્ટર અને $10 \Omega$ રિએક્ટન્સ ધરાવતો કેપેસિટર $V = 300 \sqrt{2} \sin(\omega t)$ એસી વોલ્ટેજ સ્ત્રોત સાથે શ્રેણીમાં જોડાયેલા છે। પરિપથમાં પ્રવાહ . . . . . . છે। ($\text{ A}$ માં)

આપેલ $LCR$ $AC$ સર્કિટમાં,સર્કિટમાંથી વહેતો અસરકારક પ્રવાહ કેટલો હશે?