એક $NPN$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર સર્કિટ આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ગોઠવેલી છે. તે છે:

એક ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે,કરંટ ગેઇન $(\beta) = 50$ છે. કલેક્ટર કરંટમાં $350 \mu A$ નો ફેરફાર કરવા માટે,બેઝ કરંટમાં કેટલો ફેરફાર કરવો જોઈએ?

$NPN$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,જો બેઝ વિસ્તારમાં ડોપિંગ વધારવામાં આવે,તો કલેક્ટર કરંટ:

કોમન એમીટર એમ્પ્લિફાયર માટે,પ્રવાહ ગેઈન $50$ છે. જો એમીટર પ્રવાહ $6.6 \ mA$ હોય,તો બેઝ વિદ્યુતપ્રવાહનું મૂલ્ય ........ છે. ($mA$ માં)

એક $NPN$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉપયોગ કોમન એમિટર કોન્ફિગરેશનમાં $1\,k\Omega$ લોડ અવરોધ સાથે એમ્પ્લીફાયર તરીકે કરવામાં આવે છે. બેઝ-એમિટર પર $10\,mV$ નો સિગ્નલ વોલ્ટેજ લાગુ કરવામાં આવે છે. આનાથી કલેક્ટર પ્રવાહમાં $3\,mA$ નો ફેરફાર અને એમ્પ્લીફાયરના બેઝ પ્રવાહમાં $15\,\mu A$ નો ફેરફાર થાય છે. ઇનપુટ અવરોધ અને વોલ્ટેજ ગેઇન કેટલા હશે?

એક $NPN$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,$10^{8}$ ઇલેક્ટ્રોન $10^{-8} \ s$ માં એમિટરમાં પ્રવેશે છે. જો $1\%$ ઇલેક્ટ્રોન બેઝમાં ગુમાવાય છે,તો કલેક્ટરમાં પ્રવેશતા પ્રવાહનો અંશ અને પ્રવાહ એમ્પ્લીફિકેશન ફેક્ટર અનુક્રમે કેટલા હશે?