એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $1\,\mu F$ છે. તેની બે પ્લેટોમાંથી એકને $+2\,\mu C$ અને બીજી પ્લેટને $+4\,\mu C$ વિદ્યુતભાર આપવામાં આવે છે. કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચે ઉદ્ભવતો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત......$V$ છે.

જ્યારે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $6\,cm$ હોય ત્યારે તેની કેપેસિટન્સ $15\,\mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર ઘટાડીને $2\,cm$ કરવામાં આવે,તો આ સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ ......$\mu F$ થશે.

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ વોલ્ટના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. ચાર્જિંગ બેટરીને દૂર કર્યા પછી,ઇન્સ્યુલેટિંગ હેન્ડલનો ઉપયોગ કરીને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે છે. પરિણામે,પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત:

શું સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ તેની પ્લેટો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત $(V)$ પર આધાર રાખે છે?

$Q$ જેટલો વિદ્યુતભાર અને $A$ જેટલું ક્ષેત્રફળ ધરાવતા અલગ કરેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર $C$ ની ધાતુની પ્લેટો વચ્ચેનું સ્થિત-વિદ્યુત બળ કેટલું હોય છે?

$C$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા એક ઇન્સ્યુલેટેડ સમાંતર-પ્લેટ કેપેસીટરમાં,ચાર સપાટીઓ પર આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $Q_1, Q_2, Q_3$ અને $Q_4$ વિદ્યુતભારો છે. પ્લેટો વચ્ચેનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો હશે?