$M$ દળ ધરાવતું એક ન્યુક્લિયસ સ્થિર સ્થિતિમાં છે,જે $\frac{M'}{3}$ અને $\frac{2M'}{3}$ (જ્યાં $M' < M$) દળ ધરાવતા બે ભાગોમાં વિભાજિત થાય છે. આ બે ભાગોની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

એક ઇલેક્ટ્રોન (દળ $m$) જેનો પ્રારંભિક વેગ $\overrightarrow{v} = v_{0} \hat{i} \left(v_{0} > 0\right)$ છે,તે વિદ્યુતક્ષેત્ર $\overrightarrow{E} = -E_{0} \hat{i} \left(E_{0} > 0\right)$ માં ગતિ કરે છે,જ્યાં $E_{0}$ અચળ છે. જો $t = 0$ સમયે ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $\lambda_{0} = \frac{h}{mv_{0}}$ હોય,તો $t$ સમય પછી તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી થશે?

$0.12 \ kg$ દળનો એક દડો $20 \ m \ s^{-1}$ ની ઝડપથી ગતિ કરી રહ્યો છે. તો તેની દ-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ . . . . . . છે. ( $h = 6.63 \times 10^{-34} \ J \ s$ )

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપમાં વપરાતા ઇલેક્ટ્રોન બીમ જ્યારે $20\,kV$ ના વોલ્ટેજ દ્વારા પ્રવેગિત થાય છે,ત્યારે તેની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ $\lambda_0$ છે. જો વોલ્ટેજ વધારીને $40\,kV$ કરવામાં આવે,તો ઇલેક્ટ્રોન બીમ સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ કેટલી થશે?

એક $\alpha$-કણ અને પ્રોટોનને સમાન સ્થિતિમાન દ્વારા સ્થિર સ્થિતિમાંથી પ્રવેગિત કરવામાં આવે છે,તો તેમની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

જો ઇલેક્ટ્રોનને પ્રવેગિત કરવા માટે વપરાતો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત બમણો કરવામાં આવે,તો ઇલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલ ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઇ કેટલા ગણી બદલાશે?