प्रकाश के एक एकवर्णी बिंदु स्रोत को धातु की सतह से $d$ दूरी पर रखा गया है। फोटोइलेक्ट्रॉन $n$ प्रति सेकंड की दर से उत्सर्जित होते हैं और उनकी अधिकतम गतिज ऊर्जा $E$ है। यदि स्रोत को करीब लाकर $d / 2$ दूरी पर रखा जाए,तो फोटोइलेक्ट्रॉन के उत्सर्जन की दर और अधिकतम गतिज ऊर्जा लगभग कितनी होगी?

  • A
    $2 n$ और $2 E$
  • B
    $4 n$ और $4 E$
  • C
    $4 n$ और $E$
  • D
    $n$ और $4 E$

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$2.1 \ eV$ कार्य फलन वाली धातु की सतह पर $6 \ eV$ ऊर्जा का फोटॉन आपतित होता है,तो उत्सर्जित इलेक्ट्रॉनों का निरोधी विभव (stopping potential) $V$ में कितना होगा?

जब एकवर्णी प्रकाश का एक बिंदु स्रोत एक फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $0.2 \ m$ की दूरी पर होता है,तो स्टॉपिंग पोटेंशियल और संतृप्त फोटोइलेक्ट्रिक धारा क्रमशः $0.6 \ V$ और $18 \ mA$ होती है। यदि उसी स्रोत को फोटोइलेक्ट्रिक सेल से $0.6 \ m$ दूर रखा जाए,तो:

Difficult
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एक निश्चित धातु से देहली आवृत्ति $v$ पर प्रकाश-विद्युत उत्सर्जन होता है। यदि $4v$ आवृत्ति का विकिरण धातु की प्लेट पर आपतित होता है,तो उत्सर्जित प्रकाश-इलेक्ट्रॉनों का अधिकतम वेग क्या होगा? ($m=$ प्रकाश-इलेक्ट्रॉन का द्रव्यमान,$h=$ प्लांक नियतांक)

स्टॉपिंग पोटेंशियल $(V_0)$ के बारे में निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य नहीं है?

दो समान फोटोकैथोड $n_1$ और $n_2$ आवृत्ति का प्रकाश प्राप्त करते हैं। यदि $m$ द्रव्यमान वाले उत्सर्जित फोटोइलेक्ट्रॉन का वेग क्रमशः $V_1$ और $V_2$ है,तो ($h=$ प्लांक नियतांक):

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