એક ચોક્કસ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. આ પ્રકાશ માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક પ્રવાહનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $3V_0$ છે. જો તે જ સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ મળે છે. આ સપાટી માટે ફોટો-ઇલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જ્યારે $hv$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન $E_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી એલ્યુમિનિયમ પ્લેટ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $K$ છે. જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા કેટલી થશે?

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v$ છે. જ્યારે $2v$ આવૃત્તિના ફોટોન પદાર્થ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મહત્તમ રેખીય વેગમાન $P$ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. મહત્તમ રેખીય વેગમાન $2P$ ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન મેળવવા માટે,આપાત ફોટોનની આવૃત્તિ કેટલી હોવી જોઈએ ($v$ માં)?

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરનો અભ્યાસ શેને સમજવા માટે ઉપયોગી છે?

પોટેશિયમ અને ટંગસ્ટન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ અને પ્રકાશની આવૃત્તિ $\nu$ વચ્ચેનો સાચો સંબંધ દર્શાવતી આકૃતિ કઈ છે?

આ પ્રશ્નમાં વિધાન-$1$ અને વિધાન-$2$ આપેલા છે. વિધાનો પછી આપેલા ચાર વિકલ્પોમાંથી,જે બે વિધાનોનું શ્રેષ્ઠ વર્ણન કરે છે તે પસંદ કરો.
વિધાન-$1$: એક ધાતુની સપાટી પર $v > v_0$ (થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ) આવૃત્તિવાળા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે વિકિરણ કરવામાં આવે છે. મહત્તમ ગતિઊર્જા અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ અનુક્રમે $K_{max}$ અને $V_0$ છે. જો સપાટી પર આપાત થતી આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો $K_{max}$ અને $V_0$ બંને પણ બમણા થાય છે.
વિધાન-$2$: સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ પર રેખીય રીતે આધાર રાખે છે.