કેપેસિટર પરનો વિદ્યુતભાર સમય સાથે $q = q_0 \sin(2\pi nt)$ મુજબ બદલાય છે. કેપેસિટરના ડાયઇલેક્ટ્રિકમાં ઉત્પન્ન થતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $0.25 \, \Omega m$ અવરોધકતા અને $80$ સાપેક્ષ પરમિટિવિટી ધરાવતા પ્રવાહીમાં સંપૂર્ણપણે ડુબાડવામાં આવે છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટોને $0.4 \, GHz$ આવૃત્તિ ધરાવતા $V = V_0 \sin(\omega t)$ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે,તો સ્થાનાંતર પ્રવાહ $(I_d)$ અને વહન પ્રવાહ $(I_c)$ ના કંપનવિસ્તારનો ગુણોત્તર શોધો:

સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$R$ ત્રિજ્યા ધરાવતી ગોળાકાર પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ ચાર્જ કરવામાં આવે છે. દર્શાવેલ ક્ષણે,પ્લેટો વચ્ચેના $\frac{R}{2}$ અને $R$ ની વચ્ચેના વિસ્તારમાં સ્થાનાંતર પ્રવાહ કેટલો હશે?

ગોળાકાર પ્લેટોથી બનેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને એવી રીતે ચાર્જ કરવામાં આવે છે કે તેની પ્લેટો પરની સપાટી પરની વિદ્યુતભાર ઘનતા સમય સાથે અચળ દરે વધી રહી છે. સ્થાનાંતર પ્રવાહને કારણે ઉદ્ભવતું ચુંબકીય ક્ષેત્ર

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા કેપેસિટરને $V = V_{0} \sin \omega t$ દ્વારા આપવામાં આવતા $V$ વોલ્ટેજના $AC$ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવે છે. તો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) નીચેનામાંથી કયું હશે?