$0.05 \, M \, H_2SO_4$ નો ઓક્સિડેશન પોટેન્શિયલ કેટલા વોલ્ટ હશે?

આપેલ કોષ $Cu(s) | Cu^{2+}(C_1 \ M) || Cu^{2+}(C_2 \ M) | Cu(s)$ માટે,ગિબ્સ ઉર્જામાં ફેરફાર $(\Delta G)$ ઋણ હોય,જો:

$HCl$ ઇલેક્ટ્રોલાઇટમાં પ્લેટિનમ બ્લેક ઇલેક્ટ્રોડ દ્વારા ઉદ્દીપિત એકલ ઇલેક્ટ્રોડ પ્રક્રિયા $2H^{+} + 2e^{-} \rightleftharpoons H_2$ ધ્યાનમાં લો. ઇલેક્ટ્રોડનો પોટેન્શિયલ $-0.059 \ V$ છે. જો $H_2$ નું દબાણ $1 \ bar$ હોય,તો હાઇડ્રોજન હાફ-સેલમાં એસિડની સાંદ્રતા કેટલી હશે ($M$ માં)?

$298 \ K$ તાપમાને નીચેના વિદ્યુતરાસાયણિક કોષ માટે,
$Pt_{(s)} \mid H_2(g, 1 \ bar) \mid H^{+}(aq, 1 \ M) \parallel M^{4+}_{(aq)}, M^{2+}_{(aq)} \mid Pt_{(s)}$
જ્યારે $\frac{[M^{2+}_{(aq)}]}{[M^{4+}_{(aq)}]} = 10^x$ હોય ત્યારે $E_{\text{cell}} = 0.092 \ V$ છે.
આપેલ છે: $E^0_{M^{4+}/M^{2+}} = 0.151 \ V$; $2.303 \frac{RT}{F} = 0.059 \ V$
$x$ નું મૂલ્ય શોધો.

સાચું વિધાન/વિધાનો ઓળખો:

$298 \ K$ તાપમાને $Zn | Zn^{2+}_{(aq)} || Sn^{x+}| Sn$ કોષ માટે કોષ પોટેન્શિયલ $0.801 \ V$ છે. ઉપરની પ્રક્રિયા માટે પ્રક્રિયા ભાગફળ (reaction quotient) $10^{-2}$ છે. આપેલ વિદ્યુતરાસાયણિક કોષ પ્રક્રિયામાં સંકળાયેલા ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા શોધો. (આપેલ છે: $E^{0}_{Zn^{2+}|Zn} = -0.763 \ V, E^{0}_{Sn^{x+}|Sn} = +0.008 \ V$ અને $\frac{2.303 \ RT}{F} = 0.06 \ V$)