સોડિયમની સપાટીને $3000\ \mathring A$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. સોડિયમનું કાર્ય વિધેય $2.6\ eV$ છે. તો ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ $K.E.$ ........ $eV$ છે.

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિઓ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સામાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1: n$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,જ્યારે $\lambda_{0}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે ત્યારે આપેલ ધાતુ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_{0}$ વોલ્ટ છે. જો તે જ ધાતુ માટે $2\lambda_{0}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ (વોલ્ટમાં) કેટલું થશે? [$e=$ ઈલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર,$c=$ પ્રકાશની ઝડપ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક.]

જ્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જક પર વિકિરણ આપાત થાય છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $9 \ V$ જોવા મળે છે. જો ઈલેક્ટ્રોન માટે $e/m$ નું મૂલ્ય $1.8 \times 10^{11} \ C \ kg^{-1}$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન પ્રક્રિયા માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $10 \ V$ છે. આ પ્રક્રિયામાં ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? [ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} \ C$]

$6.6 \text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ માટે, આપાત વિકિરણની નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઇ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરતી નથી ($\text{nm}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{J s}$ અને પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \text{m/s}$ લો)