એક પદાર્થનું વર્કફંક્શન $4.0 \ eV$ છે. પદાર્થમાંથી ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થઈ શકે તે માટે પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ ............ $nm$ છે.

$4.0 \ eV$ નું વર્ક ફંકશન ધરાવતી ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $nm$ માં કેટલી થાય?

એક ધાતુની ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v$ છે. જ્યારે $4v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

$400 \,nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા આપાત પ્રકાશ દ્વારા ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત તમામ ઇલેક્ટ્રોન $2 \,N/C$ ના સમાન વિદ્યુતક્ષેત્રની દિશામાં $1 \,m$ અંતર કાપીને સ્થિર થાય છે. સપાટીનું કાર્ય વિધેય કેટલું હશે ($\,eV$ માં)?

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \; V$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી છે?

ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના એકવર્ણી પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે અને ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5V_0$ છે. જ્યારે તે જ ધાતુની સપાટીને $2\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે. સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?