જ્યારે $hv$ ઊર્જાનો ફોટોન એલ્યુમિનિયમની પ્લેટ (કાર્ય વિધેય $E_0$) પર આપાત થાય છે,ત્યારે મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $K$ ધરાવતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જ્યારે $2hv$ ઊર્જાનો ફોટોન તે જ એલ્યુમિનિયમની પ્લેટ પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

જ્યારે $3000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની ઊર્જા $0.5 \ eV$ હોય છે. જો $2000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈનો ફોટોન તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જાતા ઈલેક્ટ્રોનની ઊર્જા કેટલી હશે?

નીચેની ધાતુઓ માટે વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) આપેલા છે:
$Na: 2.75\;eV; K: 2.30\;eV; Mo: 4.17\;eV; Ni: 5.15\;eV$. ફોટોસેલથી $1\;m$ દૂર રાખેલા $He-Cd$ લેસરની $3300\,\mathring{A}$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા વિકિરણ માટે આમાંથી કઈ ધાતુઓ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન દર્શાવશે નહીં? જો લેસરને નજીક લાવીને $50\;cm$ દૂર રાખવામાં આવે તો શું થાય?

શા માટે તરંગવાદ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિમાં ફેરફાર સાથે ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જામાં થતા ફેરફારને સમજાવી શકતો નથી?

ધાતુની સપાટી દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $V$ છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર અને દળ અનુક્રમે $e$ અને $m$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે. વોલ્ટમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે?

પોટેશિયમ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ (વર્ક ફંક્શન $2 \ eV$ છે) ........... $nm$ છે.