$1.0 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા ઈલેક્ટ્રોન મેળવવા માટે ઈલેક્ટ્રોન માઈક્રોસ્કોપને કેટલો વોલ્ટેજ આપવો જોઈએ ($V$ માં)?

$V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત દ્વારા પ્રવેગિત થયેલા $\alpha$-કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ કેટલી છે?

ઇલેક્ટ્રોન માઇક્રોસ્કોપ ઇલેક્ટ્રોનના કયા ગુણધર્મનો ઉપયોગ કરે છે?

જો ઇલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ $2 \ nm$ હોય,તો તેની ગતિઊર્જા આશરે કેટલી હશે ($eV$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $= 6.6 \times 10^{-34} \ J \ s$ અને ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \ kg$)

$E$ ગતિઊર્જા ધરાવતા ડ્યુટેરોન અને $2E$ ગતિઊર્જા ધરાવતા આલ્ફા કણની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈનો ગુણોત્તર $n:1$ છે. $n$ નું મૂલ્ય . . . . . . છે.
(ધારો કે પ્રોટોનનું દળ = ન્યુટ્રોનનું દળ)

બે બિંદુઓ $A$ અને $B$ ના સ્થિતિમાન અનુક્રમે $20 \ V$ અને $40 \ V$ છે. તેમની વચ્ચે એક ઈલેક્ટ્રોન સ્થિર સ્થિતિમાંથી પ્રવેગિત થાય છે. બિંદુ $B$ આગળ ઈલેક્ટ્રોન સાથે સંકળાયેલી દ બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ શોધો.