ધાતુ $A, B$ અને $C$ ના વર્ક ફંક્શન અનુક્રમે $1.92 \ eV, 2.0 \ eV$ અને $5 \ eV$ છે. આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,$4100 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે ત્યારે કઈ ધાતુ(ઓ) ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એમિટર પ્લેટ $E$ પર એકવર્ણી પ્રકાશ આપાત થાય છે. જ્યારે સ્વીચ $S_1$ બંધ હોય અને સ્વીચ $S_2$ ખુલ્લી હોય,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન $1 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ $C$ પર અથડાય છે. જો સ્વીચ $S_1$ ખુલ્લી હોય અને સ્વીચ $S_2$ બંધ હોય અને આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોન $20 eV$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા સાથે કલેક્ટર પ્લેટ પર અથડાય છે. એમિટર પ્લેટની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

જ્યારે $\nu$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સામગ્રી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા $E$ છે. જો આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $3\nu$ હોય,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે?

બે સમાન ધાતુની પ્લેટો ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર દર્શાવે છે. પ્લેટ $A$ પર ${\lambda _A}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ અને પ્લેટ $B$ પર ${\lambda _B}$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત થાય છે,જ્યાં ${\lambda _A} = 2{\lambda _B}$ છે. મહત્તમ ગતિઊર્જા શું હશે?

એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલને ચલિત વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સાથે જોડવામાં આવે છે અને પરિણામી ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ $(\mu A)$ ને લાગુ પડેલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત $(V)$ સામે આલેખવામાં આવે છે. તૂટક રેખા વાળો આલેખ આપાત વિકિરણની આપેલી આવૃત્તિ અને તીવ્રતા માટેની એક સ્થિતિ દર્શાવે છે. જો આવૃત્તિ વધારવામાં આવે અને તીવ્રતા ઘટાડવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કયો અખંડ રેખા વાળો આલેખ નવી સ્થિતિ દર્શાવે છે?

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $6.2\, eV$ છે. આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઇ,જેના માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $5\, V$ છે,તે કયા વિસ્તારમાં આવેલી છે?