જ્યારે આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $400 \ nm$ થી બદલીને $310 \ nm$ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા બમણી થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય ........ $eV$ છે.

$8 \ eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન $1.6 \times 10^{15} \ Hz$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ($eV$ માં) કેટલી હશે? ($h = 6 \times 10^{-34} \ J \cdot s$ અને $1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J$ લો)

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $v_0$ છે. જ્યારે $2v_0$ આવૃત્તિનું વિકિરણ આ ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ $2 \times 10^6 \ m/s$ છે. જો $3v_0$ આવૃત્તિનું વિકિરણ તે જ ધાતુની સપાટી પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ . . . . . . છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં, ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

નિકલનું વર્ક ફંક્શન $5 \text{ eV}$ છે. જ્યારે $2000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ તેના પર પડે છે,ત્યારે તે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો હશે ($\text{ V}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.67 \times 10^{-34} \text{ J-s}$)

$4v_0$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $v_0$ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે?