એક અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા-ઘનતા અનુક્રમે $8 \times 10^{18} \ m^{-3}$ અને $5 \times 10^{18} \ m^{-3}$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $2.3 \ m^2/V \cdot s$ અને $0.01 \ m^2/V \cdot s$ હોય,તો આ અર્ધવાહક ...... હશે.

  • A
    $N$-પ્રકારનો અને તેની અવરોધકતા $0.34 \ \Omega \cdot m$ છે
  • B
    $P$-પ્રકારનો અને તેની અવરોધકતા $0.034 \ \Omega \cdot m$ છે
  • C
    $N$-પ્રકારનો અને તેની અવરોધકતા $0.034 \ \Omega \cdot m$ છે
  • D
    $P$-પ્રકારનો અને તેની અવરોધકતા $3.4 \ \Omega \cdot m$ છે

Explore More

Similar Questions

જર્મેનિયમ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની સપાટીઓ પર $2.5 \,V$ નો પોટેન્શિયલ તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. ક્રિસ્ટલનું ક્ષેત્રફળ $1 \,cm^2$ છે અને તેની જાડાઈ $1.0 \,mm$ છે. જર્મેનિયમમાં મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ છે અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.33 \,m^2/V \cdot s$ અને $0.17 \,m^2/V \cdot s$ છે. પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ .......... $A$ હશે.

જ્યારે આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સેમિકન્ડક્ટરની વાહકતા

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં,$27^{\circ} \text{C}$ તાપમાને આંતરિક ચાર્જ કેરિયર્સની સંખ્યા ઘનતા $1.5 \times 10^{16} \, \text{m}^{-3}$ છે. જો સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિ પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે,તો હોલની ઘનતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \, \text{m}^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $..... \times 10^{9} \, \text{m}^{-3}$ છે.

$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર્સમાં,મુખ્ય ચાર્જ કેરિયર્સ કયા છે?

$P$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં વેલેન્સ બેન્ડની ઉપર $57 \, meV$ પર એક્સેપ્ટર લેવલ છે. હોલ બનાવવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઇ કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J-s$)

Difficult
View Solution

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo