p-n जंक्शन की अवक्षय परत (depletion layer) की | vedclass

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Question

(D) अवक्षय परत (depletion layer) $n$-साइड से $p$-साइड की ओर इलेक्ट्रॉनों के विसरण (diffusion) के कारण बनती है। वहाँ वे $p$-साइड के कोटरों (holes) के स

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धनात्मक रूप से आवेशित होती है

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(D) अवक्षय परत (depletion layer) $n$-साइड से $p$-साइड की ओर इलेक्ट्रॉनों के विसरण (diffusion) के कारण बनती है। वहाँ वे $p$-साइड के कोटरों (holes) के साथ संयोजित हो जाते हैं।$p-n$ जंक्शन में,अवक्षय क्षेत्र में कोई मुक्त आवेश नहीं होते हैं। इसमें केवल बद्ध आवेश (आयनित डोपेंट परमाणु) होते हैं।अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई डोपेंट सांद्रता के व्युत्क्रमानुपाती होती है। इसलिए,$p$ और $n$-साइड पर इसकी चौड़ाई अलग-अलग हो सकती है।$n$-साइड से $p$-साइड की ओर इलेक्ट्रॉनों के विसरण के कारण,अवक्षय परत की $p$-साइड ऋणात्मक रूप से आवेशित (आयनित ग्राही परमाणुओं के कारण) और $n$-साइड धनात्मक रूप से आवेशित (आयनित दाता परमाणुओं के कारण) हो जाती है।

$p-n$ जंक्शन की अवक्षय परत (depletion layer) की $n$-साइड

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निम्नलिखित में से कौन सा डायोड रिवर्स बायस (reverse biased) स्थिति में है?

किसी $p-n$ जंक्शन डायोड में जो किसी परिपथ से नहीं जुड़ा है:

नीचे दिए गए डायोड में से कौन सा डायोड रिवर्स बायस में है?

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